商品名稱:VND14NV04TR
數(shù)據(jù)手冊:VND14NV04TR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-252
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:12500 件
VND14NV04TR是采用意法半導(dǎo)體VIPower? M0技術(shù)制造的單片器件,旨在替代直流至50KHz應(yīng)用中的標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET。內(nèi)置熱關(guān)斷、線性電流限制和過壓鉗制可在惡劣環(huán)境中保護(hù)芯片。
特性
線性電流限制
熱關(guān)斷
短路保護(hù)
集成鉗制
從輸入引腳獲取的低電流
通過輸入引腳的診斷反饋
ESD保護(hù)
直接進(jìn)入功率MOS的柵極 直接進(jìn)入功率MOSFET的柵極(模擬驅(qū)動)
與標(biāo)準(zhǔn)的功率MOSFET兼容
屬性
系列: OMNIFET II?, VIPower?
開關(guān)類型: 通用
輸出數(shù): 1
比率 - 輸入:輸出: 1:1
輸出配置: 低端
輸出類型: N 通道
接口: 開/關(guān)
電壓 - 負(fù)載: 36V(最大)
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd): 不需要
電流 - 輸出(最大值): 12A
導(dǎo)通電阻(典型值): 35 毫歐(最大)
輸入類型: 非反相
特性: -
故障保護(hù): 限流(固定),超溫,過壓
工作溫度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: DPAK
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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