商品名稱:STM32F469NEH6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32F469NEH6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:216-TFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:8000 件
STM32F469NEH6 Arm?32位Cortex?-M4 CPU,帶FPU、自適應(yīng)實(shí)時(shí)加速器(ART加速器?) 允許從閃存、頻率高達(dá)180 MHz、MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令執(zhí)行0等待狀態(tài)。
產(chǎn)品特征
高達(dá)2 MB的閃存,分為兩組,允許邊寫邊讀
高達(dá)384+4 KB的SRAM,包括64 KB的CCM(核心耦合存儲(chǔ)器)數(shù)據(jù)RAM
具有高達(dá)32位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲(chǔ)器控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、閃存NOR/NAND存儲(chǔ)器
雙閃存模式Quad SPI接口
Chrom ART加速器? (DMA2D),圖形硬件加速器,以最小的CPU負(fù)載實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的圖形用戶界面
LCD并行接口,8080/6800模式
支持高達(dá)XGA分辨率的LCD TFT控制器
支持高達(dá)720p 30 Hz分辨率的MIPI?DSI主機(jī)控制器
時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
1.7 V至3.6 V應(yīng)用電源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
4至26兆赫晶體振蕩器
內(nèi)部16 MHz工廠微調(diào)RC(1%精度)
32 kHz振蕩器,用于帶校準(zhǔn)的RTC
帶校準(zhǔn)的內(nèi)部32 kHz RC
低功率
睡眠、停止和待機(jī)模式
用于RTC的VBAT電源,20×32位備份寄存器+可選的4 KB備份SRAM
3×12位,2.4 MSPS ADC:最多24個(gè)通道,三重交錯(cuò)模式下7.2 MSPS
微控制器MCU STM32F469NEH6嵌入式微控制器216TFBGA單核
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB(8K x 8) 閃存 20-VQFN(3x3)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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