商品名稱:NCV7342MW3R2G
數據手冊:NCV7342MW3R2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-VDFN
貨期:全新原裝
庫存數量:2000 件
NCV7342MW3R2G CAN 收發(fā)器是控制器區(qū)域網絡協(xié)議控制器與物理總線之間的接口,可用于 12 V 和 24 V 系統(tǒng)。
特點
兼容 ISO 11898-2、ISO 11898-5 標準
高速(高達 1 Mbps)
NCV7342-3 版本上的 VIO 引腳允許與 3 V 至 5 V 微控制器直接連接
用于總線共模穩(wěn)定的 NCV7342-0 版本上的 VSPLIT 引腳
待機模式下電流消耗極低,具有喚醒 viathe 總線功能
全頻率范圍內出色的電磁敏感性 (EMS) 水平。極低的電磁輻射(EME) 低電磁輻射(EME),同時不帶共模(CM)扼流圈
總線引腳可抵御 >15 kV 系統(tǒng) ESD 脈沖
傳輸數據 (TxD) 主導超時功能
待機模式下的總線主導超時功能
在所有電源條件下,芯片都能正常工作
未供電節(jié)點不會干擾總線線路
熱保護
總線引腳在汽車環(huán)境中受到瞬態(tài)保護
總線引腳與電源電壓和接地之間不會發(fā)生短路
這些器件均為無鉛器件
應用
汽車
工業(yè)網絡
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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