商品名稱：BSZ024N04LS6
數(shù)據(jù)手冊：
BSZ024N04LS6.jpg
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSZ024N04LS6 是 40V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管，具有同類最佳的 RDS(on)和卓越的開關(guān)性能。
主要特性
與其他產(chǎn)品相比
RDS(on) 降低 30
FOM Qg x RDS(on) 提高了 29
FOM Qgd x RDS(on) 提高 46
針對同步整流進行了優(yōu)化
適合 ORing 電路
符合 RoHS 規(guī)范 - 無鹵素
符合 MSL1 標(biāo)準(zhǔn)
主要優(yōu)點
最高系統(tǒng)效率
并聯(lián)需求更少
功率密度更高
極低的電壓過沖
減少對緩沖電路的需求
降低系統(tǒng)成本
目標(biāo)應(yīng)用
SMPS
服務(wù)器
電信
充電器
驅(qū)動器
多旋翼飛行器
無線充電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開關(guān)，采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計，適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負載開關(guān)控制。
BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強型小信號 MOSFET，采用溝槽（Trench）工藝制造，專為 60 V 中壓、2.9 A 級別的負載開關(guān)、反向極性保護及高側(cè)驅(qū)動而設(shè)計。
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb（128M 8 位）并行 NOR Flash 存儲器，采用 64-FBGA（1311mm） 封裝。
BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝，在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機驅(qū)動而優(yōu)化。
IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù)，專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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